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PRODUCT STUDIO
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Origin Storage / PRODUCT DOSSIER
Origin Storage N4200Eco
Origin Storage N4200Eco 1 GB NAS
SKU: N4200ECO
Origin Storage N4200Eco, Intel Atom®, D525, 1 GB, 0 TB
Você pode nos informar sobre quaisquer dados técnicos ausentes ou incorretos.
Os parâmetros técnicos registrados e os dados do fabricante foram verificados.
Origin Storage N4200Eco 1 GB NAS
Especificações técnicas
As características registradas estão agrupadas por tipo de produto. A falta de informações não implica falta de suporte.
Nível RAID
Intel 64
SIM
Intel Aes New Instructions Intel Aes Ni
Hayir
Cache do processador
1 MB
Intel Turbo Boost Technology
Hayir
Litografia do processador
45 nm
Número de transistores de tinta funcionando
176 M
Soquete do processador
BGA 559
Tecnologia Intel Speedstep aprimorada
Hayir
Tecnologia Intel® de virtualização para I/O direcionado (VT-d)
Hayir
ECC suportado pelo processador
Hayir
RAM
Intel Demand Based Switching
Hayir
Fabricante do processador
Intel
GTIN EAN UPC
5055146568209
Baías de unidade hot-swap
Bit de desativação de execução
SIM
Canais de memória suportados pelo processador
Único
Capacidade da unidade de armazenamento
Capacidade total de armazenamento instalado
Categoria
Depolama Sunucuları
Categoria
Depolama Sunucuları
Condições de operação em ralentí
Hayir
Conexão em T
100 °C
Contagem total de núcleos
Código do processador
SLBXC
Código do produto
N4200ECO
Data de adição ao sistema
2011-06-15
Estado de término aprimorado Intel
Hayir
Extensão de Endereço Físico PAE
32 bit
Faixa de temperatura de operação
5 - 40 °C
Faixa de umidade de operação
0 - 80%
Família de processadores
Frequência do processador
ID de arquitetura do processador
49490
Largura de banda de memória máxima suportada pelo processador
6,4 GB/s
Marca
Origin Storage
Marca
Origin Storage
Memória interna máxima suportada pelo processador
4 GB
Mercados vendidos
NL, BE
Modos de operação do processador
64-bit
Nome de código do processador
Pineview
Nome do Produto
N4200Eco
Nome do produto
N4200Eco
Número de portas Esata
2
Número de processadores sequenciais
4
Número de unidades de armazenamento suportadas
Opções embutidas disponíveis
SIM
Potência de projeto térmico
13 W
Processador
D525
Processador de funcionamento suave
Hayir
Salto
B0
Sistema operacional compatível
Windows 2000/2003/XP/Vista/7 UNIX/Linux Mac OS 9/X
Série de Produto
Tamanho da unidade de armazenamento
Tamanho do pacote do processador
22 x 22 mm
Tamanho metálico de operação
87 mm²
Tecnologia Intel Hyper-Threading Intel HT
SIM
Tecnologia de Virtualização Intel para I/O Direcionado (VT-d)
Não
Tecnologia de execução confiável Intel
Hayir
Tecnologia de virtualização Intel (VT-x)
Hayir
Tecnologias de Monitoramento Térmico
Hayir
Tipo de memória embarcada do processador
L2
Tipo de tela
OLED
Tipo de ônibus
DMI
